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Un equipo de investigadores chinos realizó un avance en el campo de la electrónica al desarrollar un nuevo tipo de transistor que podría transformar los circuitos integrados.
En un estudio publicado este jueves en la revista Nature, científicos de la Academia China de Ciencias y la Universidad de Pekín presentaron un transistor emisor térmico, compuesto por grafeno y germanio, que utiliza un novedoso mecanismo de "emisión estimulada" para generar portadores de carga a altas energías.
Este avance supera las limitaciones de los transistores tradicionales, abriendo nuevas posibilidades para la creación de dispositivos electrónicos más rápidos y eficientes, destacó hoy la cadena estatal CCTV.
Una de las innovaciones clave de este dispositivo es su capacidad para alcanzar una pendiente subumbral de menos de 1 mV/dec, rompiendo el límite de Boltzmann (60 mV/dec) de los transistores convencionales, lo que podría conducir a circuitos integrados más compactos y potentes.
El transistor, compuesto por dos uniones Schottky acopladas de grafeno/germanio, permite una resistencia diferencial negativa con una relación entre la corriente pico y la corriente valle superior a 100 a temperatura ambiente, lo que lo hace especialmente prometedor para aplicaciones en computación de bajo consumo y circuitos multivalorados, y podría ser útil para la creación de osciladores y amplificadores.
Los autores del estudio, liderados por los investigadores Liu Chi, Sun Dongming y Cheng Huiming, esperan que este nuevo tipo de transistor impulse futuras investigaciones en el campo de los dispositivos electrónicos y contribuya al desarrollo de tecnologías más avanzadas.
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